随着AI运算规模持续扩张，内存容量与带宽需求节节攀升，现有GPU搭配高带宽内存的架构逐渐触及性能天花板。据ZDNet援引韩国头部存储厂商研发人员表述，存储与封装企业正研讨全新设计思路，计划将GPU和HBM拆分至独立封装体中。常规方案里HBM紧贴GPU排布，新架构摒弃这一模式，改用光链路实现二者数据互

2026年5月22日，紫光国微发布公告，公司拟通过发行股份及支付现金方式，收购瑞能半导体科技股份有限公司100%股权，交易总价19亿元。此举标志着紫光国微正式加码功率半导体赛道，完善产业链布局。根据公告，本次交易对价中，80%以发行股份支付（15.2亿元），20%以现金支付（3.8亿元）。公司同时拟

半导体晶圆制造商环球晶董事长徐秀兰25日在电话会议上表示，今年市况与去年不同，“相对好非常多”，但成本上涨，折旧摊提增加，正积极与客户沟通下半年调涨售价。除了AI需求强劲，非AI应用如车用、工业用产品也陆续回暖。目前环球晶12吋产能满载，其他中小尺寸晶圆稼动率也满高，能见度已

TrendForce集邦咨询: 供不应求态势激励价格成长，1Q26全球前五大NAND Flash品牌合计营收季增83.7%根据TrendForce集邦咨询最新NAND Flash产业调查，2026年第一季，全球各云端服务供应商（CSP）为满足建设AI Server基础设施时的高速传输、大容量要求，带

2026年5月23日，东芯半导体股份有限公司（简称“东芯股份”）发布官方公告，公司已于5月22日召开第三届董事会第十二次会议，审议通过发行境外上市股份（H股）并在香港联交所主板挂牌上市的相关议案，正式启动“A+H”两地上市进程。据上交所披露的公告，东芯

2026年5月24日，西安奕斯伟材料科技股份有限公司武汉基地第三工厂项目主体结构顺利封顶。随着最后一方混凝土浇筑完成，这座国内12英寸硅片领域的重点工程正式进入设备安装与投产筹备阶段，为国产半导体硅材料产业升级注入新动能。该项目坐落于武汉东湖高新区未来城科学岛核心区域，总投资约125亿元，总建筑面积

·在HBM封装内集成冷却元件（ICE），优化高热集中区域的散热路径·热阻降低30%以上，确保产品在高温、高负载环境下的稳定运行特性·采用经市场充分验证的MR-MUF，以高度设计兼容性，降低客户导入门槛2026年5月26日，SK海力士宣布，公司发布&ldquo

2026年5月22日，沐曦集成电路（上海）股份有限公司与迈富时在上海正式签署战略合作协议。双方将聚焦算力基础设施、企业级智能体中台及行业场景落地三大方向深度协同，推动国产通用GPU算力与企业级AI智能体的融合应用，助力产业数智化升级。根据协议内容，沐曦股份将为迈富时提供全流程国产化的通用GPU算力支

TrendForce集邦咨询: 美光Fab 6投产LPDDR4 / DDR4，不影响DDR4供给短缺格局Micron（美光）近日宣布，其美国弗吉尼亚州Fab 6开始投产1α nm制程的LPDDR4和DDR4，主要供应给汽车、国防航天、工业、网通及医疗等关键领域客户。根据TrendForc

本届大会将汇聚全球整车、动力系统、产业链核心企业及科研院所技术专家，围绕动力系统关键技术与热点方向，通过全体大会、专题论坛、技术展示、新品发布与创新评选，共同探讨技术路线、前沿技术与工程创新。TMC2026期待与您共同推动动力系统技术深层次创新与落地，助力新能源汽车高质量发展。

据韩媒ZDNET Korea援引业内消息人士报道，铠侠（KIOXIA）将第十代BiCS FLASH（BiCS10）3D NAND闪存量产计划推迟至2027年，较此前曝光的2026年计划延后一年；相关投资细节预计在2026年下半年进一步明朗。此举是铠侠在高层堆叠赛道的关键布局，将直接影响全球高端存储市

2026年5月25日，据韩媒ETNews报道，三星电子宣布利用单元多层键合（CMB） 技术，成功研发全球首个900层超高堆叠3D NAND闪存原型，并已验证存储单元正常工作特性，标志着三星在高端存储技术领域实现跨代式领先。传统3D NAND采用单次连续刻蚀堆叠工艺，受晶圆翘曲、层间对准误差等物理限制